BSS126H6327

BSS126 E6327
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BSS126 E6327参数：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008
标准包装：3,000
系列：SIPMOS®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：耗尽模式
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：21mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：500欧姆@16mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.6V@8µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.1nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：28pF@25V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：PG-SOT23-3